III-V族化合物半导体是国家在先进材料领域重点发展的战略方向，所制备的半导体器件在国民经济和国防建设等领域发挥至关重要的作用。然而，界面问题贯穿于“材料生长→结构设计→器件制程”的全线程，是实现高性能器件的关键挑战。
雷士照明科研团队通过产学研协同攻关，发明III-V族半导体的低温外延生长技术、设计多种异质界面结构以及高效的晶圆键合和衬底转移技术，解决了III-V族化合物半导体材料与器件的界面问题。采用该技术，项目组研制了多种新型高性能III-V族半导体器件，并已应用于多家国内知名企业的生产中：“量产的Si衬底上垂直结构大功率LED芯片，周公解梦梦见洗头发光效超过200 lm/W@350 mA；量产的型号卫星用GaAs多节太阳电池，光电转换效率高达31.64%；5G通信用单晶AlN高性能FBAR滤波器，插入损耗低至1.9 dB”。产品性能均不同程度优于国内外同类产品，已分别应用于国内外多项重大照明工程、空间卫星及载人空间站等国家航天战略工程、中兴和华为的通信基站，近三年累计新增销售逾 32 亿元（直接效益 17.8 亿元、间接效益 14.8 亿元） ，推动了我国的国民经济发展和国防建设。
本项目技术是适用于不同 III-V 族化合物半导体器件研发与生产的通用发明技术。相关技术在雷士照明、 华为、 中兴通讯、 创维、 上海空间电源研究所（811所） 、中电科 55、 18 及 7 所等单位开展了“产学研”合作，摆脱了国外在相关核心技术上的，解决了我国多项“卡脖子”技术难题， 实现了 III-V 族化合物半导体材料与器件的产业化。石材浮雕https://www.china.cn/p4p/54659.html
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